旧事重提：固态硬盘工艺不是有个说法：制程越新，寿命越短吗？比如说：东芝19nm MLC的PE有上万次，16nm MLC的说是只有3000pe。同样的TLC颗粒，现在最新的96层，相比较对于原来的64层，寿命是不是也要短很多啊？

制程越新的确寿命越短，因为绝缘层也薄了，正因如此NAND颗粒提升制程不仅不能降低成本，还会更贵。但是不提升制程，密度就提不上去。3D工艺就是为了解决这个问题开发出来的，3D NAND可以看作是2D NAND一层层堆起来的产物，相同面积制程下，XX层3D NAND比2D NAND密度大XX倍，这样就不用提升制程了。

96层是房子越造越高，制程是另一回事

MLC最吸引人的一点应该就是寿命了，几乎所有传言都说“MLC比TLC寿命长”。然而MLC比TLC寿命长是有前提的，那就是同种工艺下，例如同样的20nm工艺下，MLC颗粒的寿命是比TLC颗粒长的。但是现在的TLC基本上都是3D NAND，3D NAND因为结构的优化，所以电子从浮置栅极流失的速度大大降低，所以可以说3D TLC的寿命基本上都比较新的（例如16nm）2D MLC长。

颗粒的寿命并不是首先要考虑的，我们买的是SSD整体，所以SSD的寿命才是值得关心的。决定SSD寿命的主要是两点，颗粒的寿命和冗余的大小。例如，大名鼎鼎的企业盘英特尔DC S3610 1.6TB，使用的是英特尔的20nm 2D MLC，却有惊人的10PB（10 000TB）的写入量，他之所以如此长寿，奥秘就在于其有非常大的冗余。冗余有什么用？冗余就是所谓的“未使用的保留块”。其实SSD内部有自己的纠错机制（例如LDPC），某一位数据出错后SSD会将出错块的数据纠正后重新储存在保留块中，原来出错的块就被划分为不会使用的“坏块”中，直至保留块用尽，SSD寿命终结。所以，冗余越大，纠正出错的能力越强，SSD的整体寿命就越长。英特尔的DC 4000系列全系改用TLC，寿命依旧优秀，这不仅是因为3D NAND的功劳，更是因为企业级盘大冗余的传统。

现在制程1X 1Y 1Z

2016年厂商的闪存开始从2D TLC转向3D MLC/TLC，主流堆栈层数开始从24、48层转向64层，但是这个转换过程中厂商的产能也受到了影响，而要想获得容量、成本的均衡，闪存堆栈至少要达到64层，这才能弥补转产3D闪存导致的2D产能损失。

SLC: Single-level cell NAND flash supports 50,000 to 100,000 write cycles.MLC: The 2-bit data multi-level cell (MLC) flash generally takes up to 3,000 write cycles. eMLC (enterprise MLC) sustains up to10,000 write cycles, and can reach 35,000 cycles on 3D NAND.TLC: Triple-level cells (3-bit) NAND flash is low at 300-1000 write cycles, and can achieve 1500-3000 write cycles with 3D NAND.

查到的部分资料 3D flash铠侠19NM美光与牙膏厂20nm长江存储20nm

nand flash因为制程节点小了之后，每个存储单元能容纳的电子数量就会变少。发展到一定阶段之后，闪存就很容易因为电子流失而丢失其中保存的数据。

3D闪存最适合的制程节点是20nm

那就是随着TLC、QLC及PLC的升级，P/E寿命会下降，同时制程工艺升级的话P/E寿命也会下降，双重叠加之后先进工艺的QLC、PLC寿命就会很难看。那下降的到底有多严重，从行业报告来看，SLC闪存在5xnm工艺下寿命有11000次P/E，在3X、2X、1Xnm工艺下会下降到10000、7500、5000次，总体还是耐看的。MLC闪存在1xnm下寿命会减少到1500次，TLC则会极速下滑到500次，QLC再次下降一个量级到70次，PLC闪存则是直接降至35次，理论上就是35次全盘写入就不行了。

10级黄牌工艺制程和堆叠层数带来的最终效果怎么会被你想到一块去……

不明显，因为一直都是20nm很久了

现在很多厂商都是多层堆叠技术来制造闪存的吧！