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小米手机:高通S888功耗、温度过高翻车 台积电7奈米性能辗压三星5奈米

2021-01-12 20:55:38 / 我要吐槽 查看是否已被百度收录 查看是否已被谷歌收录 查看是否已被搜狗收录 查看是否已被360收录
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如文

小米抢先全球率先使用高通新一代处理器S888、推出最新的旗舰型手机「小米11」,经过评测后,竟然发生「翻车」事故。极客湾Geekerwan藉着测试小米11的同时,进行了高通S888处理器的评测。效能方面,S888的单核、多核心效能都较前代S865提升10%,GPU部分也提升40%的效能,LPDDR5效能提升至6400Mbps,整体来看,由三星5纳米製程所生产的S888,效能上与高通所公布的数据没有太多落差,但相较于台积电7奈米製程生产的S865来讲,也不能说是有很大的突破。而处理器并不是只有看效能,还要再将功耗纳入考量,经过《极客湾Geekerwan》的测试发现后,S888新增的X1核心,单核功耗来到3.3W,比S865多出1W。多核心部分,S888的功耗高达7.8W,比S865高出将近2W。《极客湾Geekerwan》认为,功耗过度的提升,就是S888翻车的主因。在实际运作上,S888在进行游戏时,竟然发生处理器速度降频的状况,而且整体功耗峰值提升至9.8W,就算是降频时也有7.8W,这功耗几乎是所有手机处理器的冠军。高工耗随之带来的也就是温度问题,在实际进行游戏测试20分钟后,搭载S888的小米11出现48度的高温,而搭载S865的小米时仅41度。《极客湾Geekerwan》认为,相较于台积电7奈米製程生产的S865,三星5纳米製程所生产的S888在效能上的确有提升,但位居全处理器过高的功耗、温度,不仅拖累了S888整颗处理器的表现,而这也这可能是三星5奈米製程不成熟所导致的结果。

芯片就是石油

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