12月19日消息，据国外媒体报道，晶圆代工企业中芯国际（SMIC）正在努力获得关键的极紫外（EUV）光刻设备，以开发7nm以下制程技术。目前中芯已经使用DUV光刻机实现了14纳米到7纳米演进，但5纳米/3纳米制程需要更先进的EUV光刻机。此前，中芯国际宣布原台积电高管蒋尚义加盟，任副董事长，蒋尚义与荷兰ASML公司渊源颇深，业界普遍预计这一人事引入与EUV光刻机引入直接相关。

业内观察人士表示，在新任副董事长蒋尚义的帮助下，中芯国际正寻求与荷兰半导体设备公司阿斯麦（ASML）就EUV光刻设备进行谈判。

据报道，中芯国际计划使用EUV光刻机，生产基于7nm以下制程技术的芯片产品。最近，有媒体报道，该公司已经从20nm工艺过渡到5nm工艺，唯一缺的就是EUV光刻机。有了EUV光刻机，该公司就可以量产5nm芯片。

实体清单了还买个屁

这些年正是华为的订单不断推动中芯制程向前迈进，华为的芯片工程师也一直驻场合作，并为中芯定制了麒麟710A芯片，帮助中芯实现了N+1工艺的全面量产。

这个事情凉凉

上实体清单EUV这事肯定凉了。。。中芯换将的手段也是不厚道，老梁绝对难得的人才。。。内忧外患啊。。。

不可能，EUV有米国技术。

中国的繁荣与强盛对于世界发展的需求来说依然是利大于弊的.

够呛吧

想都别想

那台3400还没有交付的…

2020年12月16日，半导体光刻光源制造商Gigaphoton股份有限公司宣布，已开始批量生产出厂采用新技术的最新半导体制造光刻光源ArF浸没式激光器“GT66A”。目前，最尖端产品制造开始为逻辑器件开发3nm节点工艺，并开始批量生产用于DRAM的1Znm节点。如何在这些超微细器件中降低转印到晶圆上的曝光图案的粗糙度是一个难题，而且重要的是忠实地再现电路图案并提高批量生产的成品率。新型光刻光源ArF浸没式激光器“GT66A”通过新开发的光学模块将脉冲发光时间延长到以前的3倍以上，从而改善曝光面的光束均匀性，成功降低粗糙度。还通过引入最新的高度耐用零件，将模块的维护周期延长30%。此次，GT66A已通过荷兰大厂ASML公司最新ArF浸没式曝光设备NXT:2050i用光源的认证，开始为最终用户批量生产出厂光源。

一首凉凉

之前那台交了吗