早期dennard scaling 保证密度上来后，单位面积能耗不变，这样同面积晶体管数量越来越多，在同样能耗情况下，性能增强但是密度大到一定程度之后，漏电流就不成比例增大dennard scaling被破坏，如果没有finfet技术，20nm之后手机芯片就陷入现在密度增加，但是经常性发热降频的地步了。像MOSFET电路沟道的W宽L长比大概决定了性能，短沟道效应就是当尺寸逐渐缩小也就是L 越来越小，是不利的，那么L 即使在其他尺寸缩小的情况下也不能变小但是这样W/L比例就变了，通过finfet技术相当于增加了W 那么保持W/L比例，这样漏电流不会增加，功耗就稳了至于说为什么三星的5nm 为什么不行，可能是同样都是finfet, 台积电的沟道宽度可能比三星的更大，那么即使同密度，台积电的漏电流就更小当然也可能是别的什么技术